【下载】3D硅电容器产品目录

村田的高密度硅电容器，通过应用半导体的MOS工艺实现三维化，大幅增加电容器表面积，从而提高了基板单位面积的静电容量。 利用先进的三维结构，不仅薄得惊人，只有100μm，而且使有效静电容量面积相当于80个陶瓷层。并且可以根据客户要求生产更薄的产品。采用线性低分散电介质缩小体积，优化了静电容量值和电气特性。