村田可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器——WLSC系列

WLSC系列产品(100μm厚)适用于无线通信(例如5G)、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途。WLSC电容器适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波/噪声滤除功能等。依靠村田*的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺,开发极深沟槽结构的硅电容器,静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的击穿电压为150V to 11V)。本公司的半导体(硅)技术,依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜,完全控制的生产工艺,与其他的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术,使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性极为优秀。并且,因为硅在本质上电介质吸收很小,压电效应也很小,或者几乎没有,所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

特点

  • 100μm的极薄型
  • 低漏电流
  • 高稳定性(温度、电压)
  • 老化后静电容量也极少下降。
  • 支持标准的引线键合封装(球和楔)

(详情见本公司的封装应用说明)

用途

  • 雷达、基础设施无线通信、数据播放等要求严格的所有用途
  • 焊盘完全平坦,因此标准的引线键合(在上下面镀金)比MLCC容易
  • 去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路(例如GaN功率放大器、LDMOS)
  • 高可靠性用途
  • 要求小型化和薄型的用途(100μm)
  • 与单层陶瓷电容器、金属氧化膜半导体完全兼容

WLSC系列规格

WLSC系列规格

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入

系列一览

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关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。