村田支持26GHz+的引线键合用上下电极硅电容器——UWSC系列

UWSC系列是以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专为DC去耦和旁路用途设计的。依靠村田*的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),在超过26GHz的频率实现出色的静噪性能。UWSC系列是采用深槽和MOS半导体工艺生产的,满足低容量和高容量两方面要求,提供高可靠性,以及对于温度和电压的静电容量稳定性。实现了(0.02%/V,60ppm/K)和-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜,能够完全控制,确保高度的可靠性和再现性。这些电容器支持标准的引线键合封装(球和楔)。此外,这些电容器符合RoHS标准,也能提供厚膜金电极。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

特点

  • 超过26GHz的超宽带性能
  • 没有共振,相位稳定
  • 外壳尺寸0101,静电容量值1nF
  • 对于温度、电压、老化,静电容量值的稳定性很高
  • ESR和ESL超低,可靠性高
  • 支持标准的引线键合封装(球和楔) 

(详情见本公司的封装应用说明)

用途

  • 光电产品/高速数据
  • 跨阻放大器(TIA)
  • 光收发组件(ROSA/TOSA)
  • 同步光纤网络(SONET)
  • 高速数字逻辑
  • 宽带测试装置
  • 宽带微波/毫米波
  • X7R与NP0电容器的置换
  • 薄型用途(也能根据要求薄至250μm、100μm)

UWSC系列规格

UWSC系列规格

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*4) 示例:10nF / 0303 / BV 50V

系列一览

系列一览

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。