适用于光通信应用的硅电容器

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村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。

村田的高密度硅电容器适用的细分市场有:网络相关(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信。

适用于光通信系统的超宽频电容  

在村田众多硅电容器产品系列中,XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的表面贴装型硅电容器,以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专为隔直、耦合用途设计的。

依靠村田的半导体(硅)技术[*见段后注释]实现了低插入损耗、低反射、高相位稳定性。支持的频率范围,最低为16kHz,XBSC最高为100+GHz,UBSC最高为60+GHz,BBSC最高为40GHz,ULSC最高为20GHz。具有极高的可靠性,以及随电压和温度变化极高的静电容量稳定性(0.1%/V,60 ppm/K)。

* 注:Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

此外,硅电容器实现了-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温固化处理形成高纯度氧化膜,能够完全控制,确保高度的可靠性和再现性。

特点 :

  • 最高110GHz的超宽频性能

  • 没有共振,超低群延迟变动

  • 极佳传输阻抗匹配实现超低插损

  • 在旁路接地模式下,超低ESL和ESR

  • 随温度电压变化及老化下,静电容量稳定性很高

  • 高可靠性

  • 可以进行无铅回流焊

用途 :

  • 光电产品/高速数据

  • 跨阻放大器(TIA)

  • 光收发组件(ROSA/TOSA)

  • 同步光纤网络(SONET)

  • 高速数字逻辑

  • 宽带测试装置

  • 宽带微波/毫米波

  • X7R与NP0电容器的置换

  • 薄型用途(400或100μm)

在深圳举办的第21届中国国际光电博览会(CIOE2019)上,村田出展了XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列硅电容器产品及相关应用。

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村田表面封装硅电容器3D模型

村田展台现场展示的产品还包括:

应用于TOSA&ROSA的集成宽频RC的硅基板方案

  • 小型化

  • 耐高温 (125℃   )

  • BOM精简

  • 高可靠性

  • 总成本削减

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村田客户定制硅电容器产品

打线退耦电容 WLSC/ UWSC系列

  • 数据中心线缆管理用RFID

  • 低ESR

  • 低ESL

  • 小尺寸大容量(0101, 1nF)

  • 适合打线的完美的电极平坦度

  • 宽温度范围内高可靠性

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村田引线键合用上下电极硅电容器产品

来源:Murata中国

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