非隔离型栅极驱动器与功率元器件

Image

ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。

我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET PrestoMOS™。

采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性非隔离型栅极驱动器

ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺,实现了高可靠性。产生闩锁效应时,会流过大电流,可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺来改善抗闩锁性能,而ROHM的SOI(Silicon On Insulator)工艺通过SOI基板的完全介电分离法提高了耐压性能,并且可以从结构上避免闩锁效应。

非隔离型栅极驱动器

反向恢复时间更短的超级结MOSFET:PrestoMOS™

PrestoMOS™是一种超级结MOSFET,以往的超级结MOSFET的问题在于内部寄生二极管的反向恢复时间trr特性,而PrestoMOS™系列产品不仅具有更短的反向恢复时间trr,而且损耗更低。

PrestoMOS

与IGBT相比,PrestoMOS™在中低功率范围内的损耗电压很小,因而可以减少损耗(参见左下图)。另外,在电机驱动电路等电路中,还可以使用高速内部寄生二极管,而无需使用外置快速恢复二极管(FRD)来减少由普通MOSFET和IGBT的再生电流引起的换流损耗。与FRD相比,PrestoMOS™的寄生二极管的VF更低,因此损耗也更低。

换流损耗

产品阵容

文章来源:罗姆半导体集团 

文章分类

相关文章

最新内容

关注微信公众号,抢先看到最新精选资讯

关注村田中文技术社区微信号,每天收到精选设计资讯