我们将参照图3-6（a）来解释MOSFET的工作原理。
（1）在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。（漏极-源极电压：VDS）
（2）在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。（栅极-源极电压：VGS）
（3）其结果是，电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上，部分p型层转变为n型区（p型层中的n型区称为“反转层（沟道）”）。
（4）当这个反转层完成时，MOSFET漏极到源极将形成n层路径。
（n＋⇔n－⇔ 反转层（n）⇔ n＋）
（5）因此MOSFET在低电阻下工作，漏极电流由外加VDS和负载流决定。
图3-6（a）平面栅极MOSFET的结构和工作原理
图3-6（b）沟槽栅极MOSFET的结构和工作原理
文章转载自：东芝半导体