MEMS振荡器与传统振荡器的比较

在市场上,你会发现,有些振荡器是MEMS类型,而有些则不是。他们之间有什么区别呢?

运算放大器的负反馈系统及其效果

运算放大器是具有高电压增益的放大器,但几乎不是运算放大器单体进行放大。原因是开环增益存在偏差,或带宽较窄,难以控制放大率。因此,一般构成负反馈电路后使用。

【科普小贴士】什么是pn结?

p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。p型和n型半导体键合时,作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子,所以它被称为耗尽层,与绝缘体的状态相同。

运算放大器的转换速率SR (Slew Rate)

转换速率是表示运算放大器的工作速度的参数。表示输出电压在规定的单位时间可变化的比例。例如,1[V/µs]表示在1[µs]内可使电压发生1[V]的波动。

【科普小贴士】什么是化合物半导体?

除了硅,还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如,GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、InGaAlP(磷化铝镓铟)等通常用于高频器件和光学器件。

直流二倍压电路的原理详解

要理解倍压电路,首先要将充电后的电容看作一个电源。可以和供电电源串联,就像普通的电池串联的原理一样。

为何设计可靠电源时应考虑真实电压源

实际使用中,电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时,我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围,并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围,因为通常无法精确调节

你的MOSFET为什么发热那么严重?

在开关电源电路中,MOSFET作为最核心的器件,却也是最容易发热烧毁的,那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢?本文来带你具体分析。

SiC SBD的高耐压(反压)特性

碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体,其带隙宽度为3.26eV,远高于硅(Si)的带隙宽度(=1.12eV)。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率,这是由于它具有较低的晶格常数(即较短的原子间距离)从而具有较高的原子键。

什么情况下应该从硅片转换到宽带隙技术?

自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来,为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是,在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢?迄今为止,屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用

运算放大器的输入偏置电压

输入偏置电压是指有差分输入电路的运算放大器或比较器带有的误差电压。理想运算放大器或比较器的偏置电压为0V。给运算放大器或比较器的输入引脚输入同相(相同)电压时,理想运算放大器不会输出偏置电压

工程师术语扫盲:如何理解FIT和MTBF?

在我们的日常工作中,经常会碰到器件失效或系统故障,这时为了清楚界定失效事件的严重性,就需要定量的来描述具体的失效率,这就需要用专业的术语来沟通,而有的工程师喜欢谈FIT,有的工程师喜欢谈MTBF,其实这两个概念所描述的主体是不一样的,因此有必要在此简析一下

陶瓷电容老化,容值如何估算?关键是要理解“十倍时”的概念

随着时间的推移,陶瓷电容会因结构的变化而失去一部分容值。这种损耗是无法避免的,但可以测量并确定。原厂通常会使用十倍时作为这一损失的计量单位。

运算放大器的代表性参数(放大率和电压增益)

运算放大器中有表示特性的代表性参数。若给放大电路的输入增加电压,则在其输出时,会出现输入电压放大率的倍数。该放大率用输出电压的大小除以输入电压的大小所得的值表示。

【科普小贴士】什么是n型半导体?

n型半导体是指以磷(P)、砷(As)或锑(Sb)作为杂质进行掺杂的本征半导体。第IV组的硅有四个价电子,第V组的磷有五个价电子。如果在纯硅晶体中加入少量磷,磷的一个价电子就可以作为剩余电子自由移动(自由电子)

光耦与光继电器有何区别?

光继电器是一种光耦。光耦由输入侧的一个LED和输出侧的一个光电检测器组成,二者在内部组合在一起;光耦产品会因输出侧光电检测器的类型而有所不同。

运算放大器的噪声特性

随着产品的电子化和高密度化发展,噪声环境变得越来越差,对于放大传感器等微小信号的运算放大器来说,降噪对策已经成为重要课题。近年来,已经推出了很多抗雜訊运算放大器,市场对这类产品的需求也与日俱增。在这里介绍一下这些噪声的定义。

氮化镓(GaN)晶体管并联配置在大功率转换器设计中的应用

当今的功率变换器设计师正在努力寻找新技术新方法,以进一步提高变换器的效率极限和功率密度极限。基于宽带隙半导体技术的氮化镓(GaN)晶体管是目前最具潜力的技术方向之一。与硅器件相类似,单只GaN晶体管的电流处理能力仍有局限。

环境对电容器性能的影响

所有电容器的性能、储存寿命和使用寿命很大程度取决于他们所在的环境条件。不仅要考虑单一环境因素对电容器的关系,而且必须要考虑这些环境因素不同组合的效应。

IGBT模块及散热系统的等效热模型

功率器件作为电力电子装置的核心器件,在设计及使用过程中如何保证其可靠运行,一直都是研发工程师最为关心的问题。本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍,所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。

电路中的GND,它的本质是什么?

在PCB Layout布线过程中,工程师都会面临不同的GND处理。这是为什么呢?在电路原理设计阶段,为了降低电路之间的互相干扰,工程师一般会引入不同的GND地线,作为不同功能电路的0V参考点,形成不同的电流回路。

钽电容器都有哪些特点?

钽电容器是一种电介体使用了钽金属的电介电容器。在钽金属粉表面形成五氧化钽膜,作为电介体。相比其他电容器,钽电容器为小型,大容量产品。相比陶瓷电容器等大容量产品,对于电压和温度具有非常高的容量安定性。

陶瓷电容压力传感器的特点及典型应用

压力传感器是传感器中较大门类,广泛应用于汽车、工业、物联网等领域,陶瓷电容作为压力传感器中一种主要技术路线,具有耐腐蚀、抗冲击、介质兼容性好的优点,。本文介绍陶瓷电容原理及典型应用,以供压力传感器工程人员参考。

【科普小贴士】什么是半导体?

“半导体”是一种特性介于“导体”和“绝缘体”之间的物质,前者像金属一样导电,后者几乎不导电。电流流动的容易程度与物质电阻的大小有关。如果电阻高,电流很难流动;如果电阻低,电流容易流动。

为什么超低阻抗SiC FET受欢迎?

在本文中,我们将讨论最先进的低阻抗功率半导体开关,介绍其关键特性和应用优势。