三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产
judy -- 周二, 04/23/2024 - 10:16
第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）
闪存
漫谈QLC其一：QLC定义及应用
judy -- 周二, 11/21/2023 - 11:40
本文将以QLC为关键词，漫谈QLC的定义、优势及应用。
JEDEC宣布UFS 4.0新标准和其它附加闪存规范技术支持更新
judy -- 周四, 08/18/2022 - 15:06
JEDEC 固态技术协会刚刚宣布了最新的 UFS 4.0 通用闪存存储标准。作为补充，该组织还更新了 JESD223E UFSHCI 4.0 标准，以及面向 UFS 3.1 和更高版本的“基于文件的优化”
三星首次推出全新UFS 4.0闪存 读速达到4200MB/s或UFS 3.1的两倍
judy -- 周四, 05/05/2022 - 10:04
新的UFS 4.0规范承诺将移动闪存媒体存储的性能提高一个档次，将读取速度提高到4200MB/s，或基本上是目前可用的UFS 3.1标准的两倍。