IGBT

栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析

本系列文章将重点讨论直流链路环路电感和栅极环路电感对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响

贸泽科普实验室 | 据说这三个器件关系不一般

在现代电子中,三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”,但很多人可能一知半解,或只知其一不知其二,尤其是电子新手,接下来跟着我们重新认识一下他们吧。

Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗

新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

安森美推出第七代IGBT智能功率模块,助力降低供暖和制冷能耗

SPM31 IPM通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流,以实现出色效率

谈谈SiC MOSFET的短路能力

为什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差这么多,这是SiC天生的缺陷吗?今天我们简单分析一下。

确保IGBT产品可靠性,需要经过哪些测试?

安森美可靠性审核程序提供了一种强大的方法,可以发现 IGBT 产品线中潜在的工艺异常迹象

门极驱动正压对功率半导体性能的影响

本文将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。

IGBT如何进行可靠性测试?

本文介绍安森美的IGBT常规进行的可靠性测试

全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化

英飞凌科技推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块,用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构

关于IGBT安全工作区 你需要了解这两个关键

IGBT 的安全工作区(SOA)是使IGBT在不发生自损坏或性能沒有下降的情况下的工作电流和电压条件