Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
judy -- 周三, 12/13/2023 - 17:22SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏
SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能,保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏
宏微科技推出75A-450A不同电流等级的半桥模块和75A-150A的H桥一体化模块。通过每相采用单个或两个及以上半桥模块并联
TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度
本文将展示一种可回流焊接的TO-247PLUS单管封装,该封装可将器件芯片到DCB基板的热阻降至最低。
Nexperia(安世半导体)的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力,实现更高的电流密度和系统可靠性。
本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。
NPC2三电平拓扑因为其效率高,谐波含量低,在光伏逆变器设计中应用非常广泛
多元融合高弹性电网将分布式电源和储能系统融入电网系统中,具有明显的负载可调特性,有助于电力系统调度控制从传统的“源随荷动”向“源网荷储友好互动”模式转变
一年的结束通常是回顾和反思的时候。在TechInsights 2021年底发布的功率半导体博客中,我们总结了SiC MOSFET设计的一些最新发展