MOSFET

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。

Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少?

在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。本文将分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。

圣邦微电子推出最小脉冲宽度 1ns 的车规级低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器 SGM48521Q

SGM48521Q 提供 7A 源电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许根据场效应管优化单独的导通和关断时间

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

本文介绍了一个特定的雪崩功率函数,它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础

贸泽科普实验室 | 据说这三个器件关系不一般

在现代电子中,三极管、MOSFET、IGBT是电子人口中的“常客”,但很多人可能一知半解,或只知其一不知其二,尤其是电子新手,接下来跟着我们重新认识一下他们吧。

三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品

Nexperia 在 APEC 2024 上发布拓宽分立式 FET 解决方案系列

此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET),采用 DFN2020 封装,体积缩小 60%

东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET,助力提高电源效率

新产品采用高速二极管,旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复特性

Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET

器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212 F封装,提高系统功率密度,改进热性能