英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
judy -- 周三, 03/20/2024 - 10:32CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。
节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计
在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。本文将分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。
SGM48521Q 提供 7A 源电流和 6A 灌电流输出能力。分路输出配置允许根据场效应管优化单独的导通和关断时间
本文介绍了一个特定的雪崩功率函数,它构成了功率MOSFET数据表中雪崩额定值的基础
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此次发布的产品包括用于 PoE、eFuse 和继电器替代产品的 100 V 应用专用 MOSFET (ASFET),采用 DFN2020 封装,体积缩小 60%
新产品采用高速二极管,旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复特性
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