NAND闪存

SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

新产品每单位面积具备更高的密度,借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片,因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。