硅电容

超薄硅电容,轻松实现80层陶瓷层的有效容值

村田制作所的高容量密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用三维技术来大幅增加电容器表面积,从而在不增加电容器占位面积的情况下,尽可能增加电容量。Murata硅技术是基于嵌在单晶基材中的单片结构(单层MIM和多层MIM -- 金属绝缘体金属)。