硅电容器

村田最高工作温度250℃的硅电容器

村田提供两种电容器系列,均符合JEDEC标准的严格条件。适用于高温环境的HTSC系列,最高工作温度200℃适用于超高温环境的XTS系列,最高工作温度250℃。以突出的性能为例,XTSC系列在-55℃ to +250℃的温度范围

村田可薄至85μm的超低ESL硅电容器

UESL系列是以高速用途的电源完整性、信号完整性为目标生产的。由于超低ESL(等效串联电感)和出色的高频特性,最适合电源去耦和高速数字IC的旁路用途。此外,以超薄型(85μm以下)为特点的UESL系列,可以实现严格限制高度的先进组装技术

村田支持100GHz+的表面封装硅电容器

XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列是以光通信系统,以及高速数据系统和产品为目标,专为DC阻塞、耦合、旁路接地用途设计的。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备,实现低插入损耗、低反射、高相位稳定性

村田可薄至100μm的引线键合用上下电极硅电容器——WLSC系列

WLSC系列产品适用于无线通信(例如5G)、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途。WLSC电容器适用于DC去耦、匹配电路、高次谐波/噪声滤除功能等。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备,可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题