MOSFET

MOSFET为什么有 “体二极管”

我们在计算开关电源的时候,同步控制器的MOSFET下管的体二极管在死区时间的时候,会起作用。实现死区时间的续流。我们在计算开关电源的下管的损耗的时候,需要计算这个体二极管的损耗。

你的MOSFET为什么发热那么严重?

在开关电源电路中,MOSFET作为最核心的器件,却也是最容易发热烧毁的,那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢?本文来带你具体分析。

三极管和MOSFET选型规范

近年来,随着MOSFET的发展,在低功率高速开关领域,MOSFET正逐步替代三极管,行业主流厂家对三极管的研发投入也逐年减少,在芯片技术方面基本没有投入,器件的技术发展主要体现在晶圆工艺的升级及封装小型化及表贴化上

知道并理解!MOSFET特性

功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS (漏极、源极) 间形成PN接合,成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定

非隔离型栅极驱动器与功率元器件

ROHM不仅提供电机驱动器IC,还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器,再介绍ROHM超级结MOSFET PrestoMOS™。

如何准确测量开关损耗?

一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的损耗,对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢?