东芝

东芝推出“TXZ+™族高级系列” ARM® Cortex®-M3微控制器

新产品M3H组将东芝现有产品M3H组的代码闪存容量从512KB(部分为256KB或384KB)扩展至1MB,RAM容量从66KB[2]扩展至130KB。

东芝推出外部部件更少的小型封装电机驱动IC,节省电路板空间

今天推出的这四款产品采用极为通用的小型HTSSOP28封装,其表贴面积比东芝当前产品TB67S109AFNG使用的HTSSOP48封装大约小39%

东芝推出小型光继电器,高速导通有助于缩短半导体测试设备的测试时间

该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件(光电二极管阵列)的设计,可实现高效的光耦合,也提高了运行速度,将导通时间最大值缩短至0.25ms

东芝推出有助于降低设备待机功耗的高电压、低电流消耗LDO稳压器

“TCR1HF18B”、“TCR1HF33B”和“TCR1HF50B”分别提供1.8V、3.3V和5.0V的输出电压。该系列稳压器可提供高电压、宽输入电压范围及业界最低[1]的待机电流消耗。

东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备

东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路

东芝推出检测电子设备温升的简单解决方案Thermoflagger

新款ThermoflaggerTM IC与PTC热敏电阻结合使用,可根据温度改变电阻值进行监测。它们可检测放置在热源附近的PTC热敏电阻的电阻值变化,并输出FLAG信号以显示过温

东芝推出新款数字隔离器

东芝推出新款高速四通道数字隔离器“DCL54xx01”系列,该系列具有100kV/μs(最小值)的高共模瞬态抑制(CMTI)和150Mbps的高速数据速率

东芝推出新款150V N沟道功率MOSFET

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。

东芝推出新款时钟扩展外设接口驱动器/接收器IC TB9032FNG

新产品可以通过外部终端进行指令节点和响应节点之间的模式切换。此外,它具有5μA(典型值)的电流消耗(睡眠)(IBAT_SLP)[6],且待机模式消耗电流低

东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

新款IGBT还包含一个内置的二极管,其正向电压为1.2V(典型值),比GT50JR22降低了大约43%