功率转换

通过转向1700V SiC MOSFET,无需考虑功率转换中的权衡问题

高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得

SiC FET神应用,在各种领域提高功率转换效率

宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用,包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征,并将它与其他方法进行了对比

新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率

如果询问任何功率电子器件设计师他们追求什么,转换效率通常都会名列前茅。高效率不仅能节能,还有附带好处,即打造更小、更轻、更便宜的产品