寄生电容

MOS管G极与S极之间的电阻作用

MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现

引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容

本文中,我们将专注于前道工序 (FEOL),并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

本文从MOSFET的寄生电容的角度,结合BOOST PFC电路对Si MOSFET和SiC MOSFET展开讨论。