晶体管 | 电子创新元件网

未来的晶体管，新进展

judy -- 周二, 06/20/2023 - 15:31

CEA -Leti和英特尔今天宣布了一项联合研究项目，旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术，目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后

judy -- 周一, 06/19/2023 - 14:45

本文将回顾晶体管的历史，探讨其未来的发展方向，并分析晶体管基本结构的更新换代，以及最新的Multi-Die系统的应用前景。

judy -- 周一, 06/19/2023 - 10:07

IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSFET相同，集电极和发射极与双极晶体管相同

judy -- 周二, 04/25/2023 - 10:08

晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快

judy -- 周四, 02/23/2023 - 14:31

任何芯片的基本组成部分都是晶体管，最近晶体管迎来了 75 岁生日。今天我们将讨论它的下一个 25 年

judy -- 周三, 11/30/2022 - 09:01

在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。

judy -- 周一, 06/06/2022 - 16:38

比利时微电子中心IMEC公布了一张很有趣的路线图，对比了1970年到现在2022年的52年间中，处理器芯片的晶体管密度变化

judy -- 周一, 04/11/2022 - 10:44

加州大学伯克利分校的工程师们描述了在晶体管--构成计算机构件的微小电子开关--的设计中的一项重大突破，它可以在不牺牲速度、尺寸或性能的情况下大大降低其能源消耗。该元件被称为闸极氧化层，其在晶体管的开关中起着关键作用。

judy -- 周五, 03/11/2022 - 16:12

近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。

judy -- 周一, 03/07/2022 - 10:40

从人工智能（AI）到5G、物联网（IoT）、再到自动驾驶汽车，半导体不知不觉已经成为第四次工业革命时代的核心技术之一。随着半导体技术的先进化和复杂化，半导体工艺也在快速发展。