Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管
judy -- 周二, 05/23/2023 - 16:00
器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低
器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低
如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。
近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。
电源开发通常是一个艰难的过程。无论是用于交流电设备还是便携式设备,用户都期望电源达到很高的效率,同时尽可能保持小巧紧凑。
本文介绍普通硅二极管与肖特基二极管区别
提到低功耗、大电流、超高速半导体器件,很多工程师同学肯定能首先想到肖特基二极管(SBD)。但是,你真的会用肖特基二极管吗?跟其他的二极管相比,肖特基二极管又有什么特别之处?下面,我们一起来划重点吧!