英飞凌

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比，芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响，但它们也会影响开关损耗。

在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。

这款160V的绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器集成了一个电源管理单元（PMU），并且采用了底部带有裸露焊盘的QFN-32封装，具有良好的导热性能

新IC系列在低输出功率下，效率可以达到80%以上，这让多声道产品能够拥有更长的电池续航时间，提升热管理能力

CIPOS IM523系列智能功率模块集成多种功率和控制器件来提高可靠性，优化PCB尺寸并降低系统成本，还可用于控制各类低、中功率的变频器中的三相电机

Magic Leap 2展示了REAL3™ 3D图像传感器的潜力。全新改进的IRS2877C飞行时间成像器可以捕捉到用户周围的物理环境，帮助设备理解环境并最终与环境互动。

新一代EiceDRIVER 2EDN驱动器芯片系列包括稳定可靠的双通道低边4 A/5 A栅极驱动器IC。它不仅适用于高速功率MOSFET，还适用于基于宽禁带（WBG）材料的开关器件。

继BGSA147ML10成功推向市场之后，英飞凌将推出全新的天线调谐开关，进一步增强其创新型天线调谐器的产品阵容。

EiceDRIVER F3增强型系列栅极驱动器采用爬电距离为8mm的DSO 16 300 mil宽体封装。这款单路隔离栅极驱动器具有高达300 kV/us的超高共模瞬态抗扰度（CMTI），以及高达8.5 A的典型输出电流。

在25°C条件下，BTN99xx的常态路径电阻可大幅降低47%，下降至5.30 mΩ，同时，其电流限值可提高至75 A。