英飞凌

英飞凌推出首款符合太空标准的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM

新器件85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年,并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。

英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管

英飞凌推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%

英飞凌推出适用于汽车电池管理系统的PSoC™ 4 HVPA-144K微控制器

英飞凌推出 PSoCTM 4高压精密模拟(HVPA)-144K微控制器,通过将高精度模拟和高压子系统集成到单芯片上,满足汽车电池管理行业的需求

单相光伏并网系统的拓扑结构简介

本文主要介绍非隔离型的全桥以及HERIC两种较为常用的拓扑结构。

英飞凌推出新型MOTIX™电机栅极驱动器IC

这款栅极驱动器IC的功能安全性达到ISO 26262 ASIL B标准,并采用小型TS-DSO-32封装。该IC拥有高达110 V的高压性能

MPPT常用拓扑原理与英飞凌实现方法

针对不同的电压与电流等级,本文提供了英飞凌针对各种拓扑的参考器件选型方案,为设计高效可靠的MPPT提供便利。

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。

如何测量功率回路中的杂散电感

本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法,包括直流母线电容的寄生电感,直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。

英飞凌MOTIX™系列再添新成员:推出适用于电池供电应用的160V双通道栅极驱动器IC

这些160V的绝缘体上硅片(SOI)栅极驱动器均为功能强大且性价比高的小型栅极驱动器解决方案,具有出色的抗闩锁能力,并且专门用于电池供电应用

全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化

英飞凌科技推出了4.5kV XHP™ 3 IGBT模块,用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构