驱动器

新产品可以通过外部终端进行指令节点和响应节点之间的模式切换。此外，它具有5μA（典型值）的电流消耗（睡眠）（IBAT_SLP）[6]，且待机模式消耗电流低

新产品均适用于驱动SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具车规（满足AEC-Q100标准）和工规两种等级，广泛适用于新能源汽车、空调、电源、光伏等应用场景。

在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。

在本文中，我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。

SCALE EV门极驱动器产品系列具有1200V的额定耐压，适用于400V和800V系统，同时支持碳化硅(SiC) MOSFET和基于硅的IGBT开关。