IGBT | 电子创新元件网

如何通过优化模块布局解决芯片缩小带来的电气性能挑战

judy -- 周一, 03/20/2023 - 15:23

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中功率技术与以前的IGBT 4技术相比，芯片缩小了约30%。芯片放置和模块布局可以对较小的芯片的热性能产生积极的影响，但它们也会影响开关损耗。

judy -- 周五, 03/10/2023 - 10:02

本文将探讨如何调整模块设计来改善热性能

judy -- 周五, 03/10/2023 - 09:52

新款IGBT还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2V（典型值），比GT50JR22降低了大约43%

judy -- 周二, 03/07/2023 - 11:32

本文详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。

judy -- 周五, 03/03/2023 - 09:27

搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？

judy -- 周一, 01/30/2023 - 15:32

本应用笔记将简单说明如何测量功耗并计算二极管和 IGBT 芯片的温升

judy -- 周一, 01/30/2023 - 15:03

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms

judy -- 周四, 12/15/2022 - 10:16

本文介绍了新型950V IGBT和二极管技术。

judy -- 周二, 11/08/2022 - 11:57

本文介绍了一种新的用于大功率应用的XHP™ 2 IGBT模块，包括低杂散电感设计原理、开关特性和采用IGBT5/.XT技术可以延长模块的使用寿命等关键点。

judy -- 周四, 09/29/2022 - 10:34

栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。