MOSFET

东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化

TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻,比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%

功率MOSFET基本结构:平面结构

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管有三个管脚,分别为栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)

东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备

东芝推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路

ROHM推出超低导通电阻的Nch MOSFET

新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动

Diodes推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET

这款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低,仅 80mΩ (对于 15V 的闸极驱动),能将传导耗损降至最低,并提高效率

MOSFET与IGBT的区别

本文将对一些参数进行探讨,如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗,并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。

东芝推出新款150V N沟道功率MOSFET

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。

HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究

相信各位工程师在日常的电源设计中,当面对ZVS的场景时,经常会有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死区时,MOSFET 寄生二极管续流

Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET

RDS(on)额外降低40%,功率密度提高58倍,适合电信和热插拔计算应用