MOSFET

IGBT和MOSFET该用谁?你选对了吗?

在实际应用中,工程师们都会遇到一个相同的困惑:器件的选型着实令人头疼。对此,小编感同身受。今天,我们就一起来看看MOSFET和IGBT之间的有哪些异同点,在选型时应着重查看哪些参数。

从硅过渡到碳化硅,MOSFET的结构及性能优劣势对比

650V-1200V电压等级的SiC MOSFET商业产品已经从Gen 2发展到了Gen 3,随着技术的发展,元胞宽度持续减小,比导通电阻持续降低,器件性能超越Si器件,浪涌电流、短路能力、栅氧可靠性等可靠性问题备受关注

SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作

MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。另外,所使用的电路方式也多种多样,除单独使用外,还有串联连接、并联连接等多种使用方法

东芝推出新款MOSFET栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸

东芝推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动IC中的首款产品---“TCK421G”。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压(基于输入电压),同时具备过压锁定功能。

双极结型晶体管——MOSFET的挑战者

数字开关通常使用MOSFET来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势。