ROHM

ROHM推出超低导通电阻的Nch MOSFET

新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动

ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量,并降低功率损耗

ROHM推出更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

ROHM推出精度达±1%的电流检测放大器IC“BD14210G-LA”

入电压范围为-0.2V~+26V,非常适用于12V24V电源应用的电流检测用途

ROHM确立超小短波红外器件的量产技术

ROHM的SWIR器件计划采用业界超小级别的1.6mm×0.8mm表贴封装。通过小型发光和感光产品的不同组合,不仅可以减少安装面积,从而进一步节省空间,还有助于扩大在小型应用中的感测领域。

ROHM推出支持高达45V的额定电压、50mA输出电流的一次侧LDO稳压器

新产品不仅体积小巧(2.9mm×2.8mm),还实现了高耐压(Max.=45V)和低消耗电流(Typ.=6μA),可满足构建需要持续工作的冗余电源时的主要需求

ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用

ROHM开发出以1220尺寸达到1W业界超高额定功率的分流电阻器“LTR10L”

LTR10L通过改良电阻体材料并适用引脚温度降额,在1220尺寸(1.25mm×2.0mm)的分流电阻器中,实现了业界超高的1W额定功率

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习 AI芯片,无需云服务器、在设备端即可实时预测故障

该产品利用 AI技术,能以超低功耗实时预测内置电机和传感器等的电子设备的故障,非常适用于IoT领域的边缘计算设备和端点

ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制

EcoGaN™第一波产品“GNE10xxTB系列”将有助于基站和数据中心等应用实现更低功耗和小型化