东芝

东芝推出带有嵌入式微控制器的SmartMCD™系列栅极驱动IC

系列首款产品可实现3相直流无刷电机的无感控制

东芝推出适用于电机控制的Arm® Cortex®-M4微控制器

东芝新推出的M4K组产品将现有产品的最大代码闪存容量从256 KB扩充至512 KB1 MB

东芝开发出无钴新型锂离子电池 可在5分钟内充电至80%

日本东芝公司宣布,开发出了不含金属钴的锂离子电池,可以显著抑制电池副反应产生的气体,从而提升电池性能

东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护

东芝电子推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET,适用于带有USB的设备以及电池组保护

东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件

两款600V小型智能功率器件——“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。

东芝推出适用于半导体测试设备中高频信号开关的小型光继电器

TLP3475W采用了东芝经过优化的封装设计,这有助于降低新型光继电器的寄生电容和电感。

东芝开发出首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用

东芝推出用于直流无刷电机驱动的600V小型智能功率器件

新产品均采用表面贴装型HSSOP31封装,与东芝之前的产品相比,表贴面积减小了约63%---这不仅缩小了电机驱动电路板的尺寸,同时也降低了电机高度。

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现高散热和小型化

东芝推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。

东芝推出100V N沟道功率MOSFET,助力实现电源电路小型化

TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻,比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[