针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”
（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。
图3-8影响MOSFET导通电阻的因素
文章来源：东芝半导体
针对MOSFET的最大问题，我们正采取以下对策：“如何有效利用元件面积以有效降低导通电阻”
（1）高电压：下一页将介绍通过先进的超结工艺降低Rdrift电阻。
（2）低电压：通过对沟槽结构的精细图形化可最大限度降低Rch电阻，采用薄晶片降低Rsub电阻。
图3-8影响MOSFET导通电阻的因素
文章来源：东芝半导体