Harwin宣布推出 Archer .8 系列，该双排 0.8 毫米间距板对板连接器系列的堆叠高度为 5 毫米，适用于空间非常受限，且性价比非常重要的应用，其中包括工厂自动化和环境监控设备、智能电表、零售设备、服务器/数据中心硬件和电动汽车的电池管理系统等应用。

Microchip推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。2ASC-12A2HP数字栅极驱动器可灌/拉高达10A的峰值电流，内置一个隔离的DC/DC转换器，拥有用于脉冲宽度调制信号和故障反馈的低电容隔离屏障。

上海泰矽微电子有限公司宣布，正式量产业界超低功耗TWS耳机三合一人机交互系列化芯片-TCAExxx，该系列芯片具有超低功耗、高精度、高可靠性、高集成度以及超高性价比等众多优势。

东芝今日宣布，步进电机驱动IC产品线添加新成员“TB67S539FTG”，旨在为办公自动化设备、商业设备和工业设备提供恒流控制功能。这款新型驱动IC无需电流感应电阻，即可实现恒流电机控制。

多维科技推出可预置开关点的 TMR 磁开关传感器 TMR13DX 系列。TMR13DX 支持出厂前根据客户的要求对磁场开关点进行预置，为包括水电气表、接近开关、液位感应、直线和旋转位置检测等多种应用场合提供了更高的通用性和性能的一致性。

在市场上，你会发现，有些振荡器是MEMS类型，而有些则不是。他们之间有什么区别呢？

运算放大器是具有高电压增益的放大器，但几乎不是运算放大器单体进行放大。原因是开环增益存在偏差，或带宽较窄，难以控制放大率。因此，一般构成负反馈电路后使用。

在汽车的死亡事故中，幼儿被遗忘在车内已经成为了一个问题。北美平均每年发生约39名幼儿被遗忘在车内后死亡的事故。作为相关制造商的使命，削减汽车内的死亡事故成了一个课题。

UnitedSiC第四代750V SiC FET现在以不同价格提供更多导通电阻选择，以便灵活应用于各种应用。

p型和n型半导体之间的接触面即称为PN结。p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。

思特威推出三款全新SmartGS®-2系列图像传感器——SC350HGS / SC650HGS / SC950HGS，以高帧率无形变的清晰影像赋能3MP~9MP智能化应用工业相机。

转换速率是表示运算放大器的工作速度的参数。表示输出电压在规定的单位时间可变化的比例。例如，1[V/µs]表示在1[µs]内可使电压发生1[V]的波动。

Pasternack 最近在Super Flex 线缆基础上扩展了其低PIM同轴线缆组件产品线，它是Times Microwave的畅销线缆产品。该产品线适用于无线基础设施安装、分布式天线系统（DAS）和其他低PIM应用。新线缆有标准长度和定制长度，均可当日交货。

除了硅，还有结合了第III组和第V组元素以及第II组和第VI组元素的化合物半导体。例如，GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、InGaAlP（磷化铝镓铟）等通常用于高频器件和光学器件。

要理解倍压电路，首先要将充电后的电容看作一个电源。可以和供电电源串联，就像普通的电池串联的原理一样。

实际使用中，电源的来源从来都不理想。构建可靠的电力系统需要考虑包括寄生在内的实际行为。在使用电源时，我们要确保开关稳压器等DC-DC转换器能够承受一定的输入电压范围，并能以足够的电流产生所需的输出电压。输入电压经常指定为一个范围，因为通常无法精确调节

在开关电源电路中，MOSFET作为最核心的器件，却也是最容易发热烧毁的，那么MOSFET到底承受了什么导致发热呢？本文来带你具体分析。

Melexis 推出新款飞行时间 3D Camera 传感器 MLX75026，搭载全集成红外带通（IRBP）滤波器。集成 IRBP 后，镜头或传感器组件中不再需要额外搭载红外滤波器。这是一项行业领先的解决方案，降低了设计复杂性和成本，同时在采购镜头时有更多的设计选择。

瑞萨电子推出首个基于热电堆的探测器产品家族，该探测器集成了用于光学（NDIR）CO2传感器的光学滤波器。四款全新单通道和双通道CO2气体模拟探测器均采用TO-5封装，具有卓越的性能、质量和使用寿命，使其成为在高温操作条件下要求高可靠性

伟创力电源模块（Flex Power Modules）现已发布非隔离式开关电容中间总线转换器（IBC）BMR310，这款产品可为数据中心应用提供高功率密度的产品，从而改善电路板空间利用率并为其他元器件释放空间

TDK集团针对噪声抑制应用推出新的爱普科斯(EPCOS) 超紧凑型X2电容器，额定工作电压为 275 V AC，容值范围为33 nF ~ 1 µF。该型电容器通过UL、EN和IEC 60384-14:2013标准认证，采用阻燃等级为UL 94 V-0的外壳和灌封材料，最高工作温度可达110 °C。

Littelfuse推出市场上首款高压光隔离MOSFET栅极驱动器，该驱动器不需要外部电源设备，但可以在几十微秒量级进行快速负载接通

碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体，其带隙宽度为3.26eV，远高于硅（Si）的带隙宽度（=1.12eV）。SiC具有较高的击穿电场和较高的热导率，这是由于它具有较低的晶格常数（即较短的原子间距离）从而具有较高的原子键。

TDK扩展了其CN系列积层陶瓷贴片电容器（MLCC）产品阵容，这是同类产品中的首款产品。新3216尺寸产品（3.2 x 1.6 x 1.6 ㎜）的电容为10 μF，3225尺寸（3.2 x 2.5 x 2.5 ㎜）的电容为22 ㎌，提供了低电阻树脂电极，具有与标准产品相当的低端子电阻。新产品将于2021年9月开始量产。

自从宽带隙 (WBG) 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅极 MOSFET、超级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用