GaN

揭秘热设计:集成电路设计的关键密码

本文将带您深入探讨设计工程师在热设计过程中需要关注的一些关键问题。

英诺赛科发布60V GaN,为PD3.1提供更多选择

INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装,导通电阻 4.3mΩ,在与 40V InnoGaN(INN040FQ043A)封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上,将耐压等级提升到60V

全球GaN最新应用进展!

面对GaN在消费电子领域应用现状,相关企业开始寻求新的增量市场,GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸

英诺赛科发布100V车规级GaN,持续推进汽车激光雷达市场

英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q,该器件已通过AEC-Q101 认证

使用SiC/GaN功率半导体,提高功率转换效率,无源元件的技术进步很重要!

为加速实现碳中和,正在实施各种电气化和节能化举措。

COSEL推出新一代工业用超紧凑、高效率GaN电源

TE系列采用宽带隙氮化镓半导体、高频平面变压器和增强型反激拓扑等先进技术,12V和24V输出型为承受峰值负载,可提供140%的功率

面向GaN功率放大器的电源解决方案

本文将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术

巧用这三个GaN 器件 轻松搞定紧凑型电源设计

本文简要讨论了氮化镓的优势及其设计挑战。然后,介绍了Power Integrations的三个带有内部氮化镓功率开关的集成离线反激式转换开关 IC 平台

利用封装、IC和GaN技术提升电机驱动性能

电机驱动设计方面的技术进步为我们开启了许多大门。例如在运动控制系统中,更高精度、效率和控制能力给用户体验性和安全性

常关D模式GaN相比常关E模式GaN的优势

本白皮书讨论了GaN固有的物理特点。以及常关d模式GaN解决方案如何最大限度地发挥这些固有优势