三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年,集团营收50036亿日元(约合美元373亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

三菱电机将开始提供用于数字相干通信,内置波长监视器的DFB-CAN样品

三菱电机的新型DFB-CAN的紧凑封装包含了一个DFB激光芯片和一个波长监测芯片。通过改进DFB激光芯片中用于温度控制的热交换元件并优化散热设计,实现了仅1W的低功耗。

三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品

三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品

六种紧凑型T-PM及模块阵容将为xEV带来更小、更高效的逆变器

三菱电机与Nexperia合作开发SiC功率半导体

三菱电机集团近日宣布,将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体

提高4.5kV IGBT模块的功率密度

本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。

三菱电机开始提供5G Massive MIMO基站用GaN功率放大器模块样品

三菱电机将开始为5G mMIMO基站提供GaN功率放大器模块的样品,该模块可在3.4GHz至3.8GHz的宽频段范围内提供8W的平均输出功率

三菱电机投资Novel Crystal Technology,加速开发氧化镓功率半导体

三菱电机集团近日宣布,已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology,今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体

三菱电机采用单个GaN功率放大器实现4G、5G及Beyond 5G/6G通信系统宽带运行

三菱电机开发出首款使用单个放大器即可覆盖3400MHz频段的氮化镓(GaN)功率放大器。该技术已被证明可用于在单个基站中以不同频率运行的4G、5G和Beyond 5G/6G通信系统。

三菱电机开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块样品

该模块降低了内部电感,并集成了第二代SiC芯片,有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。

三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET

新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上