氮化镓 | 电子创新元件网

氮化镓（Gallium Nitride，简称GaN）是一种化合物半导体材料，由镓（Ga）和氮（N）元素组成。它具有一些重要的电子特性，使其在电子器件和半导体应用中具有广泛的用途。

总的来说，氮化镓是一种具有出色电子性能和热性能的半导体材料，广泛应用于高性能电子器件和半导体行业中。随着技术的不断进步，预计其在各种领域中的应用将继续扩展。

Transphorm推出参考设计组合，加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发

judy -- 周五, 06/24/2022 - 11:32

Transphorm推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率。

judy -- 周六, 04/02/2022 - 09:45

对于任何半导体来说，封装对于电气隔离、产品稳健性和热管理都很重要。尤其是对于功率半导体来说，这是至关重要的。

judy -- 周三, 03/30/2022 - 15:14

没有时间？那就从这里开始吧！这个快速列表概述了这本书的要点。

judy -- 周一, 03/21/2022 - 10:26

本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。