英诺赛科

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地,当前产能15000片/月,产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品,涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类,并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今,英诺赛科已获专利700多项,累计出货量突破5亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。 

英诺赛科推出500W 电机驱动方案,消费、工业双向击破

英诺赛科采用新一代合封氮化镓- ISG3202,开发出高效率500W 48V电机驱动方案

英诺赛科发布60V GaN,为PD3.1提供更多选择

INN060FQ043A 采用 FCQFN 3mm*4mm 封装,导通电阻 4.3mΩ,在与 40V InnoGaN(INN040FQ043A)封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上,将耐压等级提升到60V

英诺赛科发布100V车规级GaN,持续推进汽车激光雷达市场

英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q,该器件已通过AEC-Q101 认证

英诺赛科推出100V VGaN,支持48V BMS应用

英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A,可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关

英诺赛科推出2.4KW Buck/Boost,应用于48V轻混系统

针对汽车电子中的48V轻混系统应用,英诺赛科推出了2.4kW 双向buck/boost 参考设计,为48V轻混系统提供先进解决方案。

英诺赛科100V GaN 再添新品,采用FCQFN封装

英诺赛科推出两款 100V 新品氮化镓功率器件,旨在提高电源功率转换效率,降低系统损耗与成本

英诺赛科多款TO封装GaN强势出货,为电源设计提供丰富选择

英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片,基于先进的8英寸硅基氮化镓技术,耐压从650V升级到700V,并迅速量产出货