半导体后端工艺｜第六篇：传统封装方法组装工艺的八个步骤
judy -- 周五, 03/08/2024 - 10:20
本文将重点介绍这两种封装方法，以及两者在组装方法和功能方面的差异。在本篇文章中，将着重介绍传统封装方法。
SK海力士
半导体后端工艺｜第四篇：了解不同类型的半导体封装（第二部分）
judy -- 周一, 01/29/2024 - 10:39
本文介绍将多个封装和组件整合到单个产品中的封装技术
半导体后端工艺｜第三篇：了解不同类型的半导体封装
judy -- 周一, 12/18/2023 - 14:47
本文将带您了解半导体封装的不同分类
SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化
judy -- 周一, 11/13/2023 - 15:20
LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1. 12V（伏特）标准范围下运行
SK海力士开发出全球最高规格HBM3E，向客户提供样品进行性能验证
judy -- 周二, 08/22/2023 - 10:24
SK海力士21日宣布，公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E1，并开始向客户提供样品进行性能验证。
SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM
judy -- 周一, 08/21/2023 - 15:10
SK海力士开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM LPDDR5X的24GB封装产品
SK海力士宣布量产238层4D NAND闪存
judy -- 周四, 06/08/2023 - 10:44
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。
SK海力士推出首款12层堆叠HBM3 DRAM，已向客户提供样品
judy -- 周五, 04/21/2023 - 14:40
SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清（Full-HD）电影，最大速度可达819GB/s（每秒819千兆字节）
SK海力士推出全球超快移动DRAM——LPDDR5T
judy -- 周五, 02/03/2023 - 10:46
本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6Gbps（Gb/s）
全球移动市场的指路灯——SK海力士背照式(BSI)技术分享
judy -- 周五, 12/23/2022 - 17:28
本文将基于2022年11月举行的第10届SK海力士学术会议内容对CIS关键技术之一的背照式(Backside Illumination, BSI)技术进行介绍。