V-NAND

三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产

第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)

三星第8代V-NAND已开始量产

三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度,可更高效地为企业扩展存储空间