栅极驱动

RECOM扩展栅极驱动 DC/DC 系列产品

R24C2T25 的隔离电压为 3 kVAC/1 min,具有 3.5 pF 的超低耦合电容和 +/-150 V/ns 的共模瞬态抗扰度

以 SGM48211 为例,分享高压半桥栅极驱动芯片共性问题应对措施

圣邦微电子推出 SGM48211 系列 120V 高压半桥栅极驱动产品。器件可应用于电信,数据通信,便携式存储的 48V 或更低电压系统中的电源转换器

新型MOSFET栅极驱动IC助力移动电子设备小型化

东芝已大量投放市场的五款新型MOSFET栅极驱动IC—TCK42xG系列是支持外部背对背MOSFET的器件,可阻止电流反向流入负载开关

深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项

IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点,并且有三个端子

IGBT栅极驱动设计,关键元件该怎么选?

栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能,在IGBT开启时噪音和振铃最小。

东芝推出智能栅极驱动光耦,有助于简化功率器件的外围电路设计

TLP5222采用SO16L封装,可确保8mm(最小值)的爬电距离和电气间隙,适用于需要实现较高绝缘性能的设备。