Murata WLSC引线接合式垂直薄型（厚100µm）硅电容器面向用于无线通信（例如5G）、雷达和数据广播系统的射频大功率应用。WLSC电容器适合用于直流去耦、匹配网络和谐波/噪声滤波功能。这些硅电容器设计采用半导体工艺，该工艺能够集成1.55nF/mm2至250nF/mm2的高电容密度（击穿电压分别为450V至11V）。
在生产过程中，WLSC电容器在高温（+900°C以上）下固化，生成高纯度的氧化物。该技术提供了业界领先的性能，在整个工作直流电压和温度范围内的电容器稳定性方面体现尤为突出。另外，硅的固有特性表明其具有较低的电介质吸收能力和低至零的压电效应，因此不会产生记忆效应。Murata WLSC引线接合式薄型硅电容器还符合RoHS指令。
特性
- 超薄外形：厚100µm
- 低漏电流
- 高稳定性（温度和电压）
- 超薄外形：厚100µm
- 低漏电流
- 高稳定性（温度和电压）
- 老化引起的电容损失可忽略不计
- 与标准的引线接合组件（球形和楔形）兼容
规范
- 电容范围：47pF至22nF
- 电容容差：±15%
- 温度范围
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
- 储存温度范围：-70°C至+165°C
- 温度系数：+60ppm/K
- 击穿电压：11V、30V、50V、100V、150V和450V
- 老化：<0.001%/1000小时
- 厚度：100µm
应用
- 任何要求苛刻的应用，如雷达、无线基础设施通信、数据广播
- 因焊盘平坦度而需采用标准的引线接合方法（顶部和底部镀金）
- 去耦、直流噪声和谐波滤波、匹配网络（例如：GaN功率放大器、LDMOS）
- 高可靠性应用
- 小尺寸薄型应用 (100µm)
- 完全兼容单层陶瓷电容器和金属氧化物半导体