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还在为用氮化镓设计高压电源犯难?试试这两个器件
本文将探讨氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 的基本原理,展示其在开关模式电源电路中相对于传统硅器件的优势
2023-03-24 |
氮化镓
,
电源管理
,
GaN-FET
瑞萨电子发布全新RZ/T2L工业用MPU 可通过EtherCAT通信实现快速、准确的实时控制
RZ/T2L MPU继承了其高端产品RZ/T2M的硬件架构,为快速增长的EtherCAT通信市场带来理想的解决方案。
2023-03-24 |
瑞萨电子
,
MPU
,
EtherCAT
先进封装技术,突破半导体极限
随着智能手机技术、移动互联网、AI、大数据时代的发展,半导体计算性能需求迅速提高。
2023-03-24 |
封装技术
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容
本文中,我们将专注于前道工序 (FEOL),并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型
2023-03-24 |
寄生电容
,
泛林集团
USB连接器和电缆的广泛概述
本文将为您简介USB接口、USB整体的发展历程,并介绍由CUI Devices推出的USB Type C连接器产品线。
2023-03-24 |
USB连接器
,
电缆
移远通信推出面向物联网行业应用的 CC200A-LB 卫星通信模组
CC200A-LB 卫星模组使用Inmarsat GEO星座的L频段,通过IsatData Pro (IDP)卫星服务提供可靠的全球连接,并支持双向通信、低延时和近乎实时的报告功能
2023-03-23 |
移远通信
,
卫星通信
,
CC200A-LB
基于碳化硅 (SiC)的25 kW电动汽车直流快充开发指南-结构和规格
随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强,直流快速充电市场在蓬勃发展,市场对快速充电基础设施的需求也在增加
2023-03-23 |
碳化硅
,
电动汽车
,
直流快充
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究
相信各位工程师在日常的电源设计中,当面对ZVS的场景时,经常会有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在死区时,MOSFET 寄生二极管续流
2023-03-23 |
MOSFET
艾迈斯欧司朗推出110µm小孔径表面贴装EEL,提升工业自动化应用
SPL S1L90H_3是首批孔径低至110µm的表面贴装边发射激光器,小孔径使应用能够产生窄光束,905nm红外技术针对短脉冲激光雷达应用进行了优化。
2023-03-23 |
艾迈斯欧司朗
,
激光器
Diodes推出的 20Gbps 2x2 交换切换器,可让汽车媒体与驾驶辅助系统实现快速多任务/切换
PI3DBS16222Q 符合汽车规格,能够以 20Gbps 的速度执行 2x2 差分多任务作业,同时支持USB 3.2 Gen 2、PCI Express 4.0和10GBASE-KR标准。
2023-03-23 |
Diodes
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交换切换器
,
PI3DBS16222Q
SiC乘风起势!《2023 SiC功率半导体市场分析报告》全新发布
随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化,将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。
2023-03-23 |
SiC
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功率半导体
Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET
RDS(on)额外降低40%,功率密度提高58倍,适合电信和热插拔计算应用
2023-03-22 |
Nexperia
,
MOSFET
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LFPAK88
Matter标准 | 如何为智能家居解决方案选择合适的硬件?
Matter标准将推动智能家居技术的落地。本文将介绍如何着手打造Matter兼容型解决方案
2023-03-22 |
Matter
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智能家居
时钟抖动的影响
抖动和相位噪声是晶振的非常重要指标,本文主要从抖动和相位噪声定义及原理出发,阐述其在不同场景下对数字系统、高速串行接口、数据转换器和射频系统的影响。
2023-03-22 |
时钟元件
,
大普通信
VTT电源对DDR有什么作用?
对于电源电压,DDR SDRAM系统要求三个电源,分别为VDDQ、VTT和VREF。
2023-03-22 |
VTT电源
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DDR
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电源
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