三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年,集团营收50036亿日元(约合美元373亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

第2讲:三菱电机SiC器件发展史

三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史,从基础研究、应用研究到批量商业化,从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆

第1讲:三菱电机功率器件发展史

三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史,从早期的二极管、晶闸管,到MOSFET、IGBT和SiC器件

三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

新的低电流模块,适用于铁路车辆的辅助电源和相对小容量的驱动系统,适用不同功率要求的大型工业设备

三菱电机开始提供5G Massive MIMO基站用16W GaN功率放大器模块样品

PAM可用于32T32R mMIMO天线,以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗,随着5G网络从城市中心向偏远地区的扩展,预计PAM将得到越来越多地部署

三菱电机将开始提供用于数字相干通信,内置波长监视器的DFB-CAN样品

三菱电机的新型DFB-CAN的紧凑封装包含了一个DFB激光芯片和一个波长监测芯片。通过改进DFB激光芯片中用于温度控制的热交换元件并优化散热设计,实现了仅1W的低功耗。

三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

三菱电机集团宣布将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品

三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品

六种紧凑型T-PM及模块阵容将为xEV带来更小、更高效的逆变器

三菱电机与Nexperia合作开发SiC功率半导体

三菱电机集团近日宣布,将与Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系,共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体

提高4.5kV IGBT模块的功率密度

本文展示了新型4.5kV功率模块如何在铁路、中压驱动或电力系统等应用中满足这些变流器要求。

三菱电机开始提供5G Massive MIMO基站用GaN功率放大器模块样品

三菱电机将开始为5G mMIMO基站提供GaN功率放大器模块的样品,该模块可在3.4GHz至3.8GHz的宽频段范围内提供8W的平均输出功率