Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管
judy -- 周三, 07/24/2024 - 16:28![](https://cdn.eetrend.com/files/styles/picture400/public/2024-07/wen_zhang_/100583080-354537-20240724tshf5211.jpg?itok=CzG7NcxU)
高速器件采用表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K
高速器件采用表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K
Tantamount™器件设计牢固,漏电流(DCL)低至0.005CV,具有严格的测试规范,确保严苛环境下可靠起爆
器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
屏蔽设计经过改进提高了额定电压,辐射电场减小20 dB,极性标识增强EMI控制
WSZ引线型器件可用作SMD组件,降低组装成本
器件脉宽失真低至6 ns,供电电流仅为2 mA,工作温度高达+110 °C,适于各种工业应用
可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺,符合MIL-STD-981 S级标准
第四代器件,额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品,降低导通和开关损耗,从而提升能效
通孔器件采用铁氧体磁芯技术,工作温度达 +155 °C,直流内阻低,有助于减少功耗,提高效率
SMD器件发光强度达2300 mcd, 波长分别为525 nm和465 nm,适用于心率监测和烟雾探测