Vishay

Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管

高速器件采用表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K

Vishay推出固体模压型片式钽电容器增强电子引爆系统性能

Tantamount™器件设计牢固,漏电流(DCL)低至0.005CV,具有严格的测试规范,确保严苛环境下可靠起爆

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

Vishay推出第二代集成式EMI屏蔽4040封装汽车级IHLE®电感器

屏蔽设计经过改进提高了额定电压,辐射电场减小20 dB,极性标识增强EMI控制

Vishay AC和AC-AT 5 W轴向水泥绕线电阻新增器件具有出色的抗脉冲性能

WSZ引线型器件可用作SMD组件,降低组装成本


Vishay推出采用数字输入输出接口的25 MBd光耦,简化设计并降低成本

器件脉宽失真低至6 ns,供电电流仅为2 mA,工作温度高达+110 °C,适于各种工业应用

Vishay推出的新款航天级平面变压器具有更低成本、更小尺寸和更高密度

可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺,符合MIL-STD-981 S级标准

Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET

第四代器件,额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品,降低导通和开关损耗,从而提升能效

Vishay推出饱和电流达230 A的超薄汽车级IHDF边绕电感器

通孔器件采用铁氧体磁芯技术,工作温度达 +155 °C,直流内阻低,有助于减少功耗,提高效率

Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED

SMD器件发光强度达2300 mcd, 波长分别为525 nm和465 nm,适用于心率监测和烟雾探测