【科普小贴士】MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素

（1）MOSFET器件结构将根据要求的耐受电压来选择。确定导通电阻R_DS(ON)的因素如图3-7和方程式3-（1）所示。根据器件的结构，决定导通电阻的因素比例将发生变化。
（2）例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压V_DSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素R_ch的比例较高。

图3-7（a）D-MOS的导通电阻决定因素

图3-7（b）沟槽MOS的导通电阻决定因素

R_DS(ON）＝R_sub＋R_drift＋R_J-FET＋R_ch＋R_N＋

R_DS(ON)＝R_sub＋R_drift＋R_ch＋R_{N＋・・・}方程式3-（1）

如果是V_DSS＝600V，顺序为R_drift >> R_ch > R_J-FET，R_N+，R_sub和R_DS(ON)取决于R_drift
如果是V_DSS＝30V，顺序为R_ch >> R_drift > R_N+，R_sub。沟槽MOS结构的精细图形化可以最大限度降低R_DS(ON)对R_ch的依赖性

文章来源：东芝半导体