随着先进图形和显示技术的发展，从虚拟现实 (VR) 到日常生活之间的壁垒越来越少。想要实现这一改变，专为图形产品设计的存储器解决方案就需要取得更大的进步。
高带宽存储实现超现实游戏和虚拟现实的关键
强大的图形性能轻松再创虚拟世界
高性能、大容量和高带宽存储解决方案让虚拟世界越来越接近真实世界，其应用场景远不止游戏。为满足这一不断增长的市场需求，三星电子开发了GDDR6W这款新颖的下一代图形DRAM技术。
GDDR6W以三星GDDR6产品为基础，引入了扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 技术，极大地提高了存储器带宽和容量。
GDDR6从发布以来,经历了多项重大的改进。今年七月，三星开发了24Gbps GDDR6存储器，这是一款拥有极快速度的图形DRAM。在此基础上，GDDR6W的外形尺寸虽与GDDR6相同，但带宽（性能）和容量均是后者的两倍。由于外形尺寸不变，新款存储芯片可以轻松代入客户的GDDR6生产工艺中，利用现有的FOWLP建造和堆叠技术，降低生产时间和成本。
下图说明了如何在相同大小的封装中容纳两倍数量的存储芯片，以及制造商如何开发具有两倍带宽和图形DRAM容量的显卡和笔记本电脑，而无需改变GPU的实际尺寸。换言之，与之前的设计相比，相同容量存储器占用的空间可以减少50%。
[WLP（晶圆级封装）结构]
通常，堆叠的芯片越多，封装尺寸将会越大。但由于物理因素的制约，封装高度存在一个上限。此外，尽管堆叠芯片可以增加容量，但同时还需要权衡散热和性能要求。为了克服这些制约，我们在GDDR6W上应用了扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 技术。
FOWLP技术直接在硅晶圆上堆叠存储芯片裸片，而不是在PCB上堆叠。为实现这种方法，我们使用了再分配层(RDL)技术来形成扩展模式。此外，由于不涉及PCB，封装的厚度也得以降低，并提高了散热能力。
[GDDR6与GDDR6W封装对比图]
采用FOWLP的GDDR6W厚度为0.7mm，较之上一代1.1mm的封装厚度，变薄了36%。此外，尽管芯片分为数层，其热属性和性能与现有的GDDR6仍然相同。与GDDR6不同的是，由于单个封装的I/O更大，采用FOWLP的GDDR6W的带宽增加了一倍。
封装是指将通过前道工艺技术处理后的晶圆切割为不同半导体形状或连接、固定、密封、引线裸片的过程。在行业中，这被称为“后工艺”技术。
尽管半导体行业致力于不断研究和发展前工艺技术中电路制造的技术，但随着这些技术越来越接近上限，封装技术却变得越来越重要。因此，三星电子将不断开发先进的封装技术，例如可在GDDR6W等解决方案中使用的FOWLP技术。
新开发的GDDR6W技术可以在系统层级支持HBM级带宽。HBM2E 提供高达1.6TB/s的系统级带宽（基于4K系统级I/O），以及3.2Gpbs 的每引脚传输速率。而GDDR6W可提供高达1.4TB/s的带宽（基于512系统级I/O），以及高达22Gpbs 的每引脚传输速率。
此外，由于与使用HBM2E相比，GDDR6W的I/O数量减少至后者的大约1/8，因此不再需要使用微凸块。这种方法具有更高的成本效益，也不再需要使用中介层。
三星电子存储器业务新业务规划副总裁Cheol Min Park说：
通过利用GDDR6的先进封装技术，GDDR6W以类似的封装尺寸提供两倍存储容量和性能。借助GDDR6W，我们可以提供满足不同客户需求的差异化存储器产品，这是巩固我们的市场地位的重要一步。
此外，三星电子还宣布将与GPU合作伙伴联手，将GDDR6W的应用范围扩大到小封装尺寸的设备，例如笔记本电脑以及用于人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 等应用领域的新型高性能加速器。
文章来源： 三星半导体和显示官方