英诺赛科发布100V车规级GaN,持续推进汽车激光雷达市场

英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件INN100W135A-Q,该器件已通过AEC-Q101 认证,适用于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。

在激光雷达领域,氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍;与早期激光雷达产品相比,采用氮化镓能够将开关速度提升13倍,脉冲宽度减小五分之一。当前,L2辅助驾驶使用MOS方案识别距离只有100m,L2+/L3辅助驾驶必须达到200m/300m的中远距离识别,只有使用窄脉冲、大峰值电流、高功率的氮化镓方案,才能为自动驾驶激光雷达提供高性能保障。

LiDAR System

产品特性

通过AEC-Q101认证,车规级

极低的栅极电荷

超小封装 WLCSP 2.13mm x 1.63mm

零反向恢复充电电荷

应用领域

激光雷达

高功率密度DC-DC变换器

D类音频

高强度前照灯

产品优势

相比硅器件,Qg、Qoss等参数有1.5~3倍的提升

相比硅器件,开关速度提升13倍,脉冲宽度减小到硅器件的1/5

达到200m/300m的中远距离识别,满足L2+/L3辅助驾驶

INN100W135A-Q 规格书首页

2021年,英诺赛科(珠海)通过 IATF 16949 车规级认证,采用InnoGaN的激光雷达产品成功“上车”;2023年,英诺赛科(苏州)通过 IATF 16949 车规级认证,新一代100V 低压GaN 完成AEC-Q101认证并成功量产,批量订单交付中。

INN100W135A-Q 产品规格书与仿真模型均可在英诺赛科官网(www.innoscience.com)获取,样品需求请联系销售或后台私信小编。

英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业,致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地,当前产能15000片/月,产品设计及性能处于国际先进水平。英诺赛科提供从30V-700V的高、中、低压全功率氮化镓产品,涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类,并为客户提供全氮化镓方案设计参考。自2015年成立至今,英诺赛科已获专利700多项,累计出货量突破4亿颗。产品可广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子及新能源等前沿领域。

英诺赛科,用氮化镓打造绿色高效新世界!