光继电器

该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms

新器件内置高电压MOSFET，输出耐压可达1500V（最小值）。

新产品配有东芝开发的高发光效率LED，最大触发LED电流为2mA。这比当前产品低33%左右，因而支持较低的输入功率。缩短开关时间的特性可确保更快的运行：TLP223GA为50%，TLP223J为75%。