泛林集团

使用虚拟实验设计加速半导体工艺发展

本文将说明我们在高深宽比通孔钨填充工艺中,利用虚拟DOE实现了对空隙的有效控制和消除。

引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容

本文中,我们将专注于前道工序 (FEOL),并演示在栅极和源极/漏极之间引入空气间隙的SEMulator3D®模型

使用虚拟实验设计预测先进FinFET技术的工艺窗口和器件性能

作者:Coventor(泛林集团旗下公司)半导体工艺与整合 (SPI) 高级工程师王青鹏博士