EcoGaN

ROHM推出更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术

judy -- 周三, 03/08/2023 - 14:30

ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。

  • 围观 14

ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制

judy -- 周五, 03/25/2022 - 10:00

EcoGaN™第一波产品“GNE10xxTB系列”将有助于基站和数据中心等应用实现更低功耗和小型化

  • 围观 30