Qorvo

Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比

本文将详细阐述 Qorvo 研发的 SiC FET(共源共栅结构FET)相较于同类SiC MOSFET的显著优势。

Qorvo® 推出紧凑型 E1B 封装的 1200V SiC 模块

Qorvo推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置

Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET,提升750V电动汽车设计性能

UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率

了解多路复用器滤波器

本章将更深入地介绍多路复用器滤波器,以及它们如何用于各种应用中。

『这个知识不太冷』探索 RF 滤波器技术(下)

本篇继续阐述 RF 滤波器的一些重要概念。

功率放大器模块及其在5G设计中的作用

在这篇文章中,我们将讨论PA和它们在5G中的作用,以及Qorvo如何利用PAM助力未来的5G基础设施。

SiC FET的脉冲电流能力量化

宽带隙(WBG)器件,尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET,正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛

『这个知识不太冷』探索5G射频技术(下)

本篇推文继续谈5G射频~

『这个知识不太冷』探索5G射频技术(上)

本文(上篇)将讲解5G NR的部分技术方面,以便您能理解那些背后的技术

Qorvo 推出业界最小的蜂窝物联网低压发射模块

QM55011 支持扩展的 NB-IoT 和 LTE-M 标准,提供低至 2.5V 的工作电压,实现更广泛的电池选择,并消除升压转换器带来的尺寸和成本影响