SiC-FET

还没使用SiC FET?快来看看本文,秒懂SiC FET性能和优势!

本文追溯了SiC FET的起源和发展,直至最新一代产品,并将其性能与替代技术进行了比较。

SiC FET神应用,在各种领域提高功率转换效率

宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用,包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征,并将它与其他方法进行了对比

新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率

如果询问任何功率电子器件设计师他们追求什么,转换效率通常都会名列前茅。高效率不仅能节能,还有附带好处,即打造更小、更轻、更便宜的产品

UnitedSiC 750V 第4代 SiC FET提高了性能,并将设计灵活性提升到新的水平

新型碳化硅 FET 采用标准分立式封装。提供业界额定值最低的 RDS(on),是同类产品中唯一提供5μs的可靠短路耐受时间额定值的器件

使用最新的SiC FET技术提升车载充电器性能

碳化硅FET已经在车载充电器(OBC)电路领域确立了自身地位,尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。

充分挖掘SiC FET的性能

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明,在模拟工具的支持下,SiC FET技术能兼顾这两点。

使用双栅极配置的 SiC FET 进行电路保护

近年来,人们对固态断路器和固态功率控制器的兴趣越来越浓厚。鉴于SiC JFET在高额定电压下具有低开态电阻而且它在需要时进行限流的能力毫不逊色,它们一直被视为此应用的理想器件。我们调查了常关型SiC FET在双栅极结构中的使用情况,以简化大电流直流断路器和交流断路器的开发