东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
judy -- 周二, 06/13/2023 - 16:54
600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%
600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%，漏源导通电阻×栅漏电荷（MOSFET性能的品质因数）降低了约52%