Qorvo®推出D2PAK封装SiC FET，提升750V电动汽车设计性能
judy -- 周二, 01/30/2024 - 10:40
UJ4SC075009B7S 在25°C时的典型导通电阻值为9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率
场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是一种电子器件，常用于电子电路中的放大、开关和信号调节等应用。FET的工作原理基于电场效应，它通过控制电场来控制电流流动。
场效应晶体管
GaN是否可靠？
judy -- 周四, 07/28/2022 - 10:51
GaN产业已经建立一套方法来保证GaN产品的可靠性，因此问题并不在于“GaN是否可靠？”，而是“如何验证GaN的可靠性？”
Transphorm推出新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管
judy -- 周二, 07/19/2022 - 15:06
新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发，适用于数据中心和广泛工业应用
选择场效应晶体管的六大诀窍
judy -- 周二, 06/21/2022 - 14:27
下面为方便电子工程师快速准确的选择场效应晶体管，可以从以下六大诀窍着手。